Chapter5-1 存储器层次结构

Posted by LvKouKou on November 29, 2022

5-1 存储器层次结构

主存储器的存储单元

  • 位(bit)是⼆进制数的最基本单位, 也是存储器存储信息的最⼩单位。
  • 当⼀个⼆进制数作为⼀个整体存⼊或取出时, 这个数称为存储字
  • 存放存储字或存储字节的主存空间称为存储单元或主存单元, ⼤量存储单元的集合构成⼀个存储体。
  • 为了区别存储体中的各个存储单元, 必须将它们逐⼀编号。 存储单元的编号称为地址, 地址和存储单元之间有⼀对⼀的对应关系。
  • 所以,存储单元是CPU访问存储器的最⼩单位。 每个存储单元可以是⼀个字,也可以是⼀个字节。 即可以是字地址,也可以是字节地址

主存储器的主要技术指标

1.存储容量: 字(字节)

位(Bit) : 度量数据的最⼩单位
字节(Byte) : 最常⽤的基本单位 K 字节 1KB = 1024 Byte=2^10 B M(兆) 字节 1M = 1024 KB = 2^20 B G(吉) 字节 1G = 1024 MB = 2^30 B

2.存储速度: 有三个指标

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半导体随机存取存储器(RAM)

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主存储器是整个存储系统的核⼼, 由RAM和ROM构成, 并且是⼆者缺⼀不可。

RAM⽤来存放供⽤户随机读写的⽤户程序和数据,也可以作为系统程序的⼯作区, ROM⽤来存放系统程序。

本节从最基本的存储电路开始, 分别介绍RAM和ROM的不同类型存储电路、 ⼯作原理、 和各⾃所具有的特点,以及相应存储芯⽚的外特性。

RAM的存储元电路

SRAM

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SRAM的基本结构

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存储矩阵

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SRAM延时

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Typical SRAM Timing

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DRAM

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动态 RAM 芯⽚结构

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Logic Diagram of a Typical DRAM

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DRAM Read Timing DRAM读时序图

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DRAM Write Timing DRAM写时序图

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DRAM的类型

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DRAM扩展

快速⻚⾯模式- FPM DRAM

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扩展数据输出DRAM(EDO DRAM)

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Burst DRAM 爆发式动态随机存储器

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同步动态随机存储器(SDRAM) 的操作

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内存技术的意义

• 使⽤当前 DRAM 技术的单字访问内存延迟会很慢 • 我们必须改进带宽(bandwidth)/吞吐率 – Idea 1: ⼀次访问多个字 (to exploit spatial locality) – 技术: Fast Page Mode, DDR SDRAM, etc. – Idea 2: 增加并⾏服务的访问数量 – Technology:多个内存模块交叉访问( interleaving memory accesses )

其他的看ppt就够了(28页开始)